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Keysight B1530A Unidad Generadora de Forma de Onda/Medición Rápida

Keysight B1530A Waveform Generator/Fast Measurement Unit

Keysight · Modelo: B1530A Bajo pedido
Keysight B1530A Unidad Generadora de Forma de Onda/Medición Rápida
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Keysight B1530A integra generación de forma de onda y medición IV de alta velocidad con tecnología SMU dinámica, eliminando efectos de línea de carga para mediciones precisas de pulso y transitorios.

Modelo B1530A
Fabricante Keysight
Categoría Analizadores LCR e Impedancia
Disponibilidad Bajo pedido

Descripción General

El Keysight B1530A Unidad Generadora de Forma de Onda/Medición Rápida (WGFMU) es un módulo especializado para el Analizador de Parámetros de Semiconductores B1500A diseñado para mediciones IV ultra rápidas, IV pulsadas e IV transitorias. Integra generación de forma de onda arbitraria con capacidades de medición de alta velocidad simultánea, utilizando la tecnología de SMU dinámica patentada por Keysight para eliminar efectos de línea de carga que afectan a las combinaciones tradicionales de generador de pulsos y osciloscopio.

El B1530A aborda la necesidad crítica de caracterización precisa de dispositivos semiconductores de próxima generación, particularmente para mediciones de confiabilidad dependiente del tiempo que se han vuelto cada vez más importantes en el desarrollo de dispositivos avanzados.

Características Principales

  • Generación de forma de onda arbitraria con resolución programable de 10 ns (salida de 10V pico a pico)
  • Medición de voltaje/corriente de alta velocidad a 200 MSa/s (velocidad de muestreo de 5 ns)
  • Salida de doble canal para mediciones simultáneas en múltiples puntos
  • Capacidad de rango dinámico para medición precisa en rangos de corriente amplios
  • Mediciones de pulso y transitorios libres de efectos de línea de carga usando tecnología de SMU dinámica
  • Resolución de medición que soporta sensibilidad a nivel de femtoamperio

Aplicaciones

  • Caracterización ultra rápida de NBTI (Negative Bias Temperature Instability) y PBTI (Positive Bias Temperature Instability)
  • Medición de ruido Random Telegraph Signal (RTN)
  • Pruebas de confiabilidad de semiconductores avanzados y caracterización de dispositivos
  • Medición de parámetros de dispositivos dependientes del tiempo
Arbitrary Waveform Resolution 10 ns
Output Voltage 10 V peak-to-peak
Measurement Speed 200 MSa/s
Sampling Rate 5 ns
Channels 2 (dual)
Measurement Sensitivity Femtoamp level
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